研究者総覧 - 大野　武雄 | 大分大学

（最終更新日 : 2026-09-13 04:06:54）

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オオノ　タケオ
大野　武雄

所属大分大学理工学部電気エネルギー・電子工学プログラム

職種准教授

研究内容
1. 抵抗変化型メモリに関する研究（文献①）次世代不揮発性メモリの候補である抵抗変化型メモリ（ReRAM）について、ナノテクノロジーを駆使したプロセスを用いてナノメートルスケールの素子サイズを作製し、低消費電力かつ高速で動作するメモリデバイスを実現します。 2. 脳型デバイスに関する研究（文献②）これまでに抵抗変化型メモリを用いた神経シナプスの模倣動作を実現していますが、その発展形に関する研究を行っています。

アピールポイント
①T. Ohno et al., “Resistive switching in a few nanometers thick tantalum oxide film formed by a metal oxidation.” Applied Physics Letters 106, 173110 (2015). ②T. Ohno et al., “Short-term plasticity and long-term potentiation mimicked in single inorganic synapses.” Nature Materials 10, pp. 591–595 (2011).（ネイチャー姉妹紙、引用数1,000以上） ③H. An, T. Ohno et al., “Current-induced magnetization switching using an electrically insulating spin-torque generator.” Science Advances 4, eaar2250 (2018).（サイエンス姉妹紙） ④（継続中）科研費・挑戦的研究（萌芽）、科研費・基盤研究（B）の研究代表者 ⑤（採択実績）JST・さきがけ、科研費・若手研究（A）、科研費・国際共同研究強化の研究代表者

学歴
	東北大学博士（工学）
～2000/03	東北大学工学部材料物性学卒業
～2005/03	東北大学大学院工学研究科材料物性学専攻博士課程後期3年の課程修了
～2002/03	東北大学大学院工学研究科材料物性学専攻博士課程前期2年の課程修了

職歴
2004/04 ～ 2005/03	日本学術振興会(東北大学大学院工学研究科) 特別研究員(DC2)
2005/04 ～ 2006/03	日本学術振興会(東北大学大学院工学研究科) 特別研究員(PD)
2006/04 ～ 2007/04	東北大学大学院工学研究科附属マイクロ・ナノマシニング研究教育センター教育研究支援者
2007/05 ～ 2008/06	物質・材料研究機構ナノシステム機能センター NIMSポスドク研究員
2008/07 ～ 2012/04	物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点 NIMSポスドク研究員
全件表示（11件）

現在の専門分野
ナノ材料科学, 電気電子材料工学, 構造材料、機能材料, 結晶工学, 電子デバイス、電子機器, ナノマイクロシステムキーワード(抵抗変化型メモリ、脳型・シナプス模倣・知能情報処理、分子層エピタキシ、MEMS、原子スイッチ)

所属学会
2002 ～	応用物理学会

論文
論文	Pulse response of Ag2S resistance change device Proceedings of 22nd International Conference on Flow Dynamics,416-417頁 2025/11
論文	Effect of oxygen vacancies at the AZO/ZnO interface on ReRAM characteristics Proceedings of 21st International Conference on Flow Dynamics,405-407頁 2024/11
論文	Influence of active electrode impurity on memristive characteristics of ECM devices Journal of Solid State Electrochemistry 28,1735-1741頁 2024/02
論文	Transparent ZnO resistive switching memory fabricated by neutral oxygen beam treatment Japanese Journal of Applied Physics 61 (SM),SM1010 2022/07
論文	Neutral oxygen irradiation enhanced forming-less ZnO-based transparent analog memristor devices for neuromorphic computing applications Nanotechnology 31 (26),26LT01 2020/04
全件表示（35件）

書籍出版物
著書	Artificial Synapses Realized by Atomic Switch Technology, in Atomic Switch (ed M. Aono) (共著) 2020/01
著書	Compound Semiconductor Oscillation Device Fabricated by Stoichiometry Controlled-Epitaxial Growth and Its Application to Terahertz and Infrared Imaging and Spectroscopy, in Energy Efficient Computing & Electronics (eds S. K. Kurinec and S. Walia) (共著) 2019/03
著書	Atomic Switches, in Resistive Switching (eds D. Ielmini and R. Waser) (共著) 2016/01
著書	Nanoionic Switches as Post-CMOS Devices for Neuromorphic Electronics, in Micro- and Nanoelectronics (ed T. Brozek) (共著) 2014/10

学会発表
2022/06/10	酸素ビーム照射を用いて作製された抵抗変化型メモリ (映像情報メディア学会マルチメディアストレージ研究会)
2018/08/08	原子／イオン移動型素子を用いたニューロモルフィック動作 (電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会)
2015/11/13	原子スイッチ－原子とイオンの移動を制御して動作するナノデバイス－ (応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第186回研究集会)
2015/10/21	Nanoionic switches for neuromorphic electronics (The 13th International System-on-Chip Conference, Exhibit & Workshops)
2014/09/22	Novel metal oxidation process by using a neutral beam and its application to electronic nano-devices (AIMR-NCTU Joint Workshop)
全件表示（8件）

研究課題・受託研究・科研費
2022/04 ～ 2026/03	IoT機器のデザイン性向上のための透明電気配線の開発基盤研究(B)
2021/07 ～ 2025/03	時空間知能情報処理を実行するイオン伝導体ハードウェアの創成挑戦的研究(萌芽)
2017/04 ～ 2020/03	電気化学材料が創る新しい知能情報処理デバイス（国際共同研究強化）国際共同研究加速基金(国際共同研究強化)
2014/04 ～ 2018/03	電気化学材料が創る新しい知能情報処理デバイス若手研究(A)
2013/10 ～ 2017/03	極薄ナノ金属酸化膜をもつ抵抗変化型メモリ
全件表示（6件）

受賞学術賞
2005	財団法人青葉工学振興会第11回研究奨励賞
2003	応用物理学会東北支部第8回講演奨励賞

取得特許
2015/02/20	シナプス動作素子（特許第5696988号）
2013/02/04	電気化学素子および電気化学素子を用いた相補型回路（特開2013-026389）